Detalhes do Produto
Transistor 6R190C6
IPP6R190C6 Mosfet Canal N 650V 20,2A To-220-3
Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 600 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 20.2 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 170 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 2,5 V
Qg - Carga na porta: 63 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 151 W
Modo de canal: Melhoria
Nome comercial: CoolMOS
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 15,65 mm
Comprimento: 10 mm
Série: CoolMOS C6
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 4,4 mm
Marca: Infineon Technologies
Tempo de queda: 9 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 11 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 110 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 15 ns
Aliases de núm de peça: IPP6R19C6 - IPP60R190C6XKSA1
https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IPA60R190C6-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a30432239cccd012264ffa8d31148
Para mais informações, entre em contato.
IPP6R190C6 Mosfet Canal N 650V 20,2A To-220-3
Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 600 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 20.2 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 170 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 2,5 V
Qg - Carga na porta: 63 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 151 W
Modo de canal: Melhoria
Nome comercial: CoolMOS
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 15,65 mm
Comprimento: 10 mm
Série: CoolMOS C6
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 4,4 mm
Marca: Infineon Technologies
Tempo de queda: 9 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 11 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 110 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 15 ns
Aliases de núm de peça: IPP6R19C6 - IPP60R190C6XKSA1
https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IPA60R190C6-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a30432239cccd012264ffa8d31148
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Especificações Técnicas
| Marca | Infineon |
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