Detalhes do Produto
Transistor 9D5N20P
Descrição:
Este MOSFET de faixa plana tem melhores características, como tempo de comutação rápido, baixa resistência, carga de porta baixa e excelentes características de avalanche.
É adequado principalmente para reatores eletrônicos e fontes de alimentação comutadas.
Características:
1. VDSS = 200V, ID = 9,5A
2. Fonte de drenagem ON Resistência: R DS (ON) = 400mΩ @ VGS = 10V
3. Qg (típico) = 18,5 nC
Para mais informações, entre em contato.
Descrição:
Este MOSFET de faixa plana tem melhores características, como tempo de comutação rápido, baixa resistência, carga de porta baixa e excelentes características de avalanche.
É adequado principalmente para reatores eletrônicos e fontes de alimentação comutadas.
Características:
1. VDSS = 200V, ID = 9,5A
2. Fonte de drenagem ON Resistência: R DS (ON) = 400mΩ @ VGS = 10V
3. Qg (típico) = 18,5 nC
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Especificações Técnicas
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