Especificações:
Fabricante: Microchip
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 1,2 kV
Id - Corrente de drenagem contínua: 7 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 1,57 Ohms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Tensão de limite porta e fonte: 4 V
Qg - Carga na porta: 80 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 335 W
Modo de canal: Melhoria
Nome comercial: Power MOS 8
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 5,31 mm
Comprimento: 21,46 mm
Largura: 16,26 mm
Marca: Microchip / Microsemi
Transcondutância em avanço - Mín: 8 S
Tempo de queda: 13 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 8 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 45 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 14 ns
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