Especificações
Fabricante: Central Semiconductor
Categoria de produto: Transistores bipolares de combustão - BJT
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa/Gabinete: TO-18
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Único
Coletor - VCEO máx. tensão do emissor: 25 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 30 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 600 mV
Corrente do coletor DC máxima: 200 mA
Pd - Dissipação de potência: 600 mW
Produto fT da largura de banda de ganho: 150 MHz
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 200 C
Embalagem: A granel
Marca: Central Semiconductor
Tensão do coletor contínuo: 200 mA
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 200
hFE máx. ganho de corrente DC: 450
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
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