Especificações
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-92-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: - 25 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Corrente do coletor DC máximo: 0,1 A
Pd - Dissipação de potência: 500 mW
Produto fT da largura de banda de ganho: 130 MHz
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: BC309
hFE máx. de ganho de corrente DC: 800
Tecnologia: Si
Marca: ON Semiconductor / Fairchild
Tensão do coletor contínua: 0.1 A
Coletor DC / Ganho base hfe Min: 120
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
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