Detalhes do Produto
Transistor BC337-25 TO-92
Transistor Bipolar de Junção NPN 45 Volts 800mA
Especificações:
Fabricante: NXP
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-92-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 45 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 50 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Corrente do coletor DC máxima: 0,5 A
Pd - Dissipação de potência: 625 MW
Produto fT da largura de banda de ganho: 100 MHz
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
hFE máx. de ganho de corrente DC: 160 a 100 mA, 1 V
Altura: 5,2 mm
Comprimento: 4,8 mm
Tecnologia: Si
Largura: 4,2 mm
Marca: NXP Semiconductors
Coletor DC / Ganho base hfe Min: 160
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Aliases de núm de peça: BC337-25,112
Para mais informações, entre em contato.
Transistor Bipolar de Junção NPN 45 Volts 800mA
Especificações:
Fabricante: NXP
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-92-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 45 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 50 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Corrente do coletor DC máxima: 0,5 A
Pd - Dissipação de potência: 625 MW
Produto fT da largura de banda de ganho: 100 MHz
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
hFE máx. de ganho de corrente DC: 160 a 100 mA, 1 V
Altura: 5,2 mm
Comprimento: 4,8 mm
Tecnologia: Si
Largura: 4,2 mm
Marca: NXP Semiconductors
Coletor DC / Ganho base hfe Min: 160
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Aliases de núm de peça: BC337-25,112
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | NXP |
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