Detalhes do Produto
Transistor BC369
Transistor Bipolar de Junção
Especificações:
Fabricante: Diodos Incorporados
Categoria de produto: Transistor bipolar de junção - BJT
Estilo de montagem: Através do Orifício
Caixa / Gabinete: TO-92-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: ÚNICO
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 20 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 25 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Tensão de saturação do coletor - emissor:- 0.5 V
Corrente do coletor DC máxima: 1 A
Pd - Dissipação de potência: 625 mW
Produto fT da largura de banda de ganho: 65 MHz
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
hFE máx. de ganho de corrente DC: 50 at 5 mA, 10 V
Altura: 4.01 mm
Comprimento: 4.77 mm
Tecnologia: Si
Largura: 2.41 mm
Tensão do coletor contínua: 1.5 A
Tipo de Produto: BJTs - Bipolar Transistor
Subcategoria: Transistor
Para mais informações, entre em contato.
Transistor Bipolar de Junção
Especificações:
Fabricante: Diodos Incorporados
Categoria de produto: Transistor bipolar de junção - BJT
Estilo de montagem: Através do Orifício
Caixa / Gabinete: TO-92-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: ÚNICO
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 20 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 25 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Tensão de saturação do coletor - emissor:- 0.5 V
Corrente do coletor DC máxima: 1 A
Pd - Dissipação de potência: 625 mW
Produto fT da largura de banda de ganho: 65 MHz
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
hFE máx. de ganho de corrente DC: 50 at 5 mA, 10 V
Altura: 4.01 mm
Comprimento: 4.77 mm
Tecnologia: Si
Largura: 2.41 mm
Tensão do coletor contínua: 1.5 A
Tipo de Produto: BJTs - Bipolar Transistor
Subcategoria: Transistor
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Especificações Técnicas
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