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Detalhes do Produto
Transistor BC635
Transistor Bipolar de Junção NPN
Especificações:
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-92-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: ÚNICO
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 45 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 45 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Corrente do coletor DC máxima: 1 A
Pd - Dissipação de potência: 1 W
Produto fT da largura de banda de ganho: 100 MHz
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: BC635
hFE máx. de ganho de corrente DC: 250
Altura: 4,95 mm
Comprimento: 4,95 mm
Tecnologia: Si
Largura: 3,94 mm
Marca: STMicroelectronics
Tensão do coletor contínua: 1 A
Coletor DC / Ganho base hfe Min: 25
Tipo de Produto: BJTs - Transistor Bipolar
Subcategoria: Transistor
Para mais informações, entre em contato.
Transistor Bipolar de Junção NPN
Especificações:
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-92-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: ÚNICO
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 45 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 45 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Corrente do coletor DC máxima: 1 A
Pd - Dissipação de potência: 1 W
Produto fT da largura de banda de ganho: 100 MHz
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: BC635
hFE máx. de ganho de corrente DC: 250
Altura: 4,95 mm
Comprimento: 4,95 mm
Tecnologia: Si
Largura: 3,94 mm
Marca: STMicroelectronics
Tensão do coletor contínua: 1 A
Coletor DC / Ganho base hfe Min: 25
Tipo de Produto: BJTs - Transistor Bipolar
Subcategoria: Transistor
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
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