Detalhes do Produto
Transistor BC638
Especificações:
Fabricante: NXP
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-92-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 60 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 60 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Corrente do coletor DC máxima: 1 A
Pd - Dissipação de potência: 1000 mW
Produto fT da largura de banda de ganho: 100 MHz
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Altura: 5,2 mm
Comprimento: 4,8 mm
Tecnologia: Si
Largura: 4,2 mm
Marca: NXP Semiconductors
Tensão do coletor contínua: 1 A
Coletor DC / Ganho base hfe Min: 25
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Aliases de núm de peça: BC638,112
Para mais informações, entre em contato.
Especificações:
Fabricante: NXP
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-92-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 60 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 60 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Corrente do coletor DC máxima: 1 A
Pd - Dissipação de potência: 1000 mW
Produto fT da largura de banda de ganho: 100 MHz
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Altura: 5,2 mm
Comprimento: 4,8 mm
Tecnologia: Si
Largura: 4,2 mm
Marca: NXP Semiconductors
Tensão do coletor contínua: 1 A
Coletor DC / Ganho base hfe Min: 25
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Aliases de núm de peça: BC638,112
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
Compartilhe: