Detalhes do Produto
Transistor BC640
Transistor Bipolar de Junção
Especificações:
Fabricante: Diodes Incorporated
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-92-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: Sozinho
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 80 V
Coletor VCBO de voltagem básica: - 100 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: - 0,5 V
Corrente do coletor DC máxima: 1 A
Pd - Dissipação de potência: 1 W
Produto fT da largura de banda de ganho: 100 MHz
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: BC640
hFE máx. de ganho de corrente DC: 25 a 5 mA, 2 V
Altura: 4,01 mm
Comprimento: 4,77 mm
Tecnologia: Si
Largura: 2,41 mm
Marca: Diodes Incorporated
Tensão do coletor contínua: - 1 A
Coletor DC / Ganho base hfe Min: 25
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Para mais informações, entre em contato.
Transistor Bipolar de Junção
Especificações:
Fabricante: Diodes Incorporated
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-92-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: Sozinho
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 80 V
Coletor VCBO de voltagem básica: - 100 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: - 0,5 V
Corrente do coletor DC máxima: 1 A
Pd - Dissipação de potência: 1 W
Produto fT da largura de banda de ganho: 100 MHz
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: BC640
hFE máx. de ganho de corrente DC: 25 a 5 mA, 2 V
Altura: 4,01 mm
Comprimento: 4,77 mm
Tecnologia: Si
Largura: 2,41 mm
Marca: Diodes Incorporated
Tensão do coletor contínua: - 1 A
Coletor DC / Ganho base hfe Min: 25
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Fairchild |
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