Detalhes do Produto
Transistor BCX56TA
Transistor Bipolar SOT-89
Especificações:
Fabricante: Diodos Incorporated
Categoria de Produto: Transistores Bipolares - BJT
Estilo de montagem: SMD / SMT
Embalagem / Caixa: SOT-89-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Solteiro
Coletor - Tensão do Emissor VCEO Máx.: 80 V
Coletor - Tensão Base VCBO: 100 V
Emissor - Tensão Base VEBO: 6 V
Tensão de saturação do coletor-emissor: 500 mV
Corrente máxima do coletor DC: 1 A
Pd - Dissipação de energia: 1000 mW
Produto de ganho de largura de banda fT: 150 MHz
Temperatura mínima de operação: - 65 C
Temperatura máxima da operação: + 150 C
Série: BCX56
Embalagem: Bobina
Ganho de corrente DC hFE máx.: 250
Altura: 1,65 mm
Comprimento: 6,7 mm
Tecnologia: Si
Largura: 3,7 mm
Marca: Diodos Incorporated
Coletor DC / Ganho Base Hfe Min: 40
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Para mais informações, entre em contato.
Transistor Bipolar SOT-89
Especificações:
Fabricante: Diodos Incorporated
Categoria de Produto: Transistores Bipolares - BJT
Estilo de montagem: SMD / SMT
Embalagem / Caixa: SOT-89-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Solteiro
Coletor - Tensão do Emissor VCEO Máx.: 80 V
Coletor - Tensão Base VCBO: 100 V
Emissor - Tensão Base VEBO: 6 V
Tensão de saturação do coletor-emissor: 500 mV
Corrente máxima do coletor DC: 1 A
Pd - Dissipação de energia: 1000 mW
Produto de ganho de largura de banda fT: 150 MHz
Temperatura mínima de operação: - 65 C
Temperatura máxima da operação: + 150 C
Série: BCX56
Embalagem: Bobina
Ganho de corrente DC hFE máx.: 250
Altura: 1,65 mm
Comprimento: 6,7 mm
Tecnologia: Si
Largura: 3,7 mm
Marca: Diodos Incorporated
Coletor DC / Ganho Base Hfe Min: 40
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
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