Detalhes do Produto
Transistor BD435 Tsl
Especificações
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: Transistores bipolares de combustão - BJT
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa/Gabinete: SOT-32-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Único
Coletor - VCEO máx. tensão do emissor: 32 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 32 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 200 mV
Corrente do coletor DC máxima: 4 A
Pd - Dissipação de potência: 36 W
Produto fT da largura de banda de ganho: 3 MHz
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: BD435
Marca: STMicroelectronics
Tensão do coletor contínuo: 4 A
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 40
Altura: 10,8 mm
Comprimento: 7,8 mm
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Tecnologia: Si
Largura: 2,7 mm
Para mais informações entre em contato.
Especificações
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: Transistores bipolares de combustão - BJT
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa/Gabinete: SOT-32-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Único
Coletor - VCEO máx. tensão do emissor: 32 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 32 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 200 mV
Corrente do coletor DC máxima: 4 A
Pd - Dissipação de potência: 36 W
Produto fT da largura de banda de ganho: 3 MHz
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: BD435
Marca: STMicroelectronics
Tensão do coletor contínuo: 4 A
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 40
Altura: 10,8 mm
Comprimento: 7,8 mm
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Tecnologia: Si
Largura: 2,7 mm
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Especificações Técnicas
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