Detalhes do Produto
Transistor BD439
Especificações
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-225-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 60 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 60 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 0,8 V
Corrente do coletor DC máxima: 4 A
Pd - Dissipação de potência: 36 W
Produto fT da largura de banda de ganho: 3 MHz
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Altura: 11,04 mm
Comprimento: 7,74 mm
Tecnologia: Si
Largura: 2,66 mm
Marca: ON Semiconductor
Tensão do coletor contínua: 4 A
Coletor DC / Ganho base hfe Min: 20
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Para mais informações entre em contato.
Especificações
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-225-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 60 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 60 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 0,8 V
Corrente do coletor DC máxima: 4 A
Pd - Dissipação de potência: 36 W
Produto fT da largura de banda de ganho: 3 MHz
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Altura: 11,04 mm
Comprimento: 7,74 mm
Tecnologia: Si
Largura: 2,66 mm
Marca: ON Semiconductor
Tensão do coletor contínua: 4 A
Coletor DC / Ganho base hfe Min: 20
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Para mais informações entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | NXP |
|---|
Compartilhe: