Detalhes do Produto
Transistor BF998 = MRF966 Smd
Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: Transistores RF MOSFET
Polaridade do transistor: Canal N
Tecnologia: Si
Id - Corrente de drenagem contínua: 30 mA
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 12 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Estilo de montagem: SMD / SMT
Caixa / Gabinete: SOT-143
Configuração: Single Dual Gate
Altura: 1 mm
Comprimento: 2,9 mm
Série: BF998
Tipo: RF MOSFET de sinal pequeno
Largura: 1,3 mm
Marca: Infineon Technologies
Modo de canal: Melhoria
Pd - Dissipação de potência: 200 mW
Tipo de Produto: Transistores RF MOSFET
Subcategoria: MOSFETs
Vgs - Voltagem de porta e fonte: 8 V a 12 V
Analise do número da peça: SP000010978 BF998E6327XT BF998E6327HTSA1
Para mais informações, entre em contato.
Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: Transistores RF MOSFET
Polaridade do transistor: Canal N
Tecnologia: Si
Id - Corrente de drenagem contínua: 30 mA
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 12 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Estilo de montagem: SMD / SMT
Caixa / Gabinete: SOT-143
Configuração: Single Dual Gate
Altura: 1 mm
Comprimento: 2,9 mm
Série: BF998
Tipo: RF MOSFET de sinal pequeno
Largura: 1,3 mm
Marca: Infineon Technologies
Modo de canal: Melhoria
Pd - Dissipação de potência: 200 mW
Tipo de Produto: Transistores RF MOSFET
Subcategoria: MOSFETs
Vgs - Voltagem de porta e fonte: 8 V a 12 V
Analise do número da peça: SP000010978 BF998E6327XT BF998E6327HTSA1
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Especificações Técnicas
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