Detalhes do Produto
Transistor BSN254A
Especificações
Fabricante: NXP
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-92-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 250 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 310 mA
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 5 Ohms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 1 W
Modo de canal: realce
Embalagem: Pacote de munição
Configuração: Single
Produto: Sinal Pequeno MOSFET
Tipo de transistor: 1 canal N
Marca: NXP Semiconductors
Tempo de queda: 90 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 90 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 37 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 23 ns
Aliases de núm de peça: BSN254.126
Para mais informações entre em contato.
Especificações
Fabricante: NXP
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-92-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 250 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 310 mA
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 5 Ohms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 1 W
Modo de canal: realce
Embalagem: Pacote de munição
Configuração: Single
Produto: Sinal Pequeno MOSFET
Tipo de transistor: 1 canal N
Marca: NXP Semiconductors
Tempo de queda: 90 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 90 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 37 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 23 ns
Aliases de núm de peça: BSN254.126
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Especificações Técnicas
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