Detalhes do Produto
Transistor BSS100
Especificações
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-92-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 100 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 220 mA
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 6 Ohms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 14 V, + 14 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 630 mW
Modo de canal: Melhoria
Configuração: Single
Altura: 5,33 mm
Comprimento: 5,2 mm
Produto: Sinal MOSFET Pequeno
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 4,19 mm
Marca: ON Semiconductor / Fairchild
Tempo de queda: 8 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 8 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 13 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 8 ns
Para mais informações, entre em contato.
Especificações
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-92-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 100 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 220 mA
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 6 Ohms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 14 V, + 14 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 630 mW
Modo de canal: Melhoria
Configuração: Single
Altura: 5,33 mm
Comprimento: 5,2 mm
Produto: Sinal MOSFET Pequeno
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 4,19 mm
Marca: ON Semiconductor / Fairchild
Tempo de queda: 8 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 8 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 13 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 8 ns
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Especificações Técnicas
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