Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de Produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Através do orifício
Embalagem / Caixa: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura da fonte de drenagem: 60 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 6,7 A
Rds On - Resistência da Fonte de Drenagem: 50 mOhms
Vgs - Tensão da fonte de porta: - 20 V, + 20 V
Temperatura mínima de operação: - 55 C
Temperatura máxima da operação: + 150 C
Pd - Dissipação de energia: 75 W
Modo de canal: Aprimoramento
Embalagem: Vareta
Configuração: solteiro
Altura: 15,65 mm
Comprimento: 10 mm
Série: BTS129
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 4,4 mm
Marca: Infineon Technologies
Tempo de outono: 75 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de subida: 60 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de atraso típico para desligar: 100 ns
Tempo de atraso típico para ligar: 25 ns
Parte # Aliases: BTS129NKSA1
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