Especificações:
Fabricante: onsemi
Categoria de produto: Transistores bipolares de produto - BJT
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa / Gabinete: TO-252-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Solteiro
Coletor - VEO máx. de voltagem do emissor: 80 V
Coletor VCBO de voltagem básica: -
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Tensão de classificação do coletor - emissor: 1 V
Corrente do coletor DC máxima: 8 A
Pd - Dissipação de potência: 20 W
Produto fT da largura de banda de ganho: 85 MHz
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: MJD44H11
Embalagem: Bobina
Marca: onsemi
Tensão do coletor contínuo: 8 A
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 60
Altura: 2,38 milímetros
Comprimento: 6,73 mm
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Tecnologia: Si
Largura: 6,22 mm
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