Detalhes do Produto
Transistor D45C12G
Transistor Bipolar de Junção PNP 4 Amperes 80 Volts 30 Watts
Especificações:
Fabricante:ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistor bipolar de junção - BJT
Estilo de montagem: Através Do Orifício
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: Único
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 80 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 5 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 0.135 V
Corrente do coletor DC máxima: 4 A
Pd - Dissipação de potência: 30 W
Produto fT da largura de banda de ganho: 40 MHz
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Altura: 9.28 mm
Comprimento: 10.28 mm
Tecnologia: Si
Largura: 4.82 mm
Marca: ON Semiconductor
Tensão do coletor contínua: 4 A
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 40
Subcategoria: Transistor
Para mais informações, entre em contato.
Transistor Bipolar de Junção PNP 4 Amperes 80 Volts 30 Watts
Especificações:
Fabricante:ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistor bipolar de junção - BJT
Estilo de montagem: Através Do Orifício
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: Único
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 80 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 5 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 0.135 V
Corrente do coletor DC máxima: 4 A
Pd - Dissipação de potência: 30 W
Produto fT da largura de banda de ganho: 40 MHz
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Altura: 9.28 mm
Comprimento: 10.28 mm
Tecnologia: Si
Largura: 4.82 mm
Marca: ON Semiconductor
Tensão do coletor contínua: 4 A
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 40
Subcategoria: Transistor
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Especificações Técnicas
| Marca | ON Semi |
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