Detalhes do Produto
Transistor DGTD65T15H2
Especificações
Fabricante: Diodes Incorporated
Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: ITO-220AB-3
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 650 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1,65 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 30 A
Pd - Dissipação de potência: 48 W
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Marca: Diodes Incorporated
Corrente de dispersão do gate - emissor: +/- 100 nA
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs
Para mais informações entre em contato.
Especificações
Fabricante: Diodes Incorporated
Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: ITO-220AB-3
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 650 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1,65 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 30 A
Pd - Dissipação de potência: 48 W
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Marca: Diodes Incorporated
Corrente de dispersão do gate - emissor: +/- 100 nA
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs
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Especificações Técnicas
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