Especificações
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD / SMT
Caixa / Gabinete: TO-252-3
Polaridade do transistor: P-Channel
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 60 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 15 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 76 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 3 V
Qg - Carga na porta: 24 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 42 W
Modo de canal: realce
Nome comercial: PowerTrench
Configuração: Single
Altura: 2,39 mm
Comprimento: 6,73 mm
Série: FDD5614P
Tipo de transistor: 1 canal P
Tipo: MOSFET
Largura: 6,22 mm
Marca: ON Semiconductor / Fairchild
Transcondutância em avanço - Mín: 8 S
Tempo de queda: 12 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 10 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 19 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 7 ns
Aliases de núm de peça: FDD5614P_NL
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