Detalhes do Produto
Transistor FDP20N50
Transistor Mosfet 500 Volts Canal N
Especificações:
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 500 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 20 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 230 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Tensão de limite porta e fonte: 3 V
Qg - Carga na porta: 59,5 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 250 W
Modo de canal: realce
Configuração: Single
Altura: 16,3 mm
Comprimento: 10,67 mm
Série: FDP20N50
Tipo de transistor: 1 canal N
Tipo: MOSFET
Largura: 4,7 mm
Marca: ON Semiconductor / Fairchild
Transcondutância em avanço - Mín: 24.6 S
Tempo de queda: 105 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 375 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 100 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 95 ns
Para mais informações, entre em contato.
Transistor Mosfet 500 Volts Canal N
Especificações:
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 500 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 20 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 230 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Tensão de limite porta e fonte: 3 V
Qg - Carga na porta: 59,5 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 250 W
Modo de canal: realce
Configuração: Single
Altura: 16,3 mm
Comprimento: 10,67 mm
Série: FDP20N50
Tipo de transistor: 1 canal N
Tipo: MOSFET
Largura: 4,7 mm
Marca: ON Semiconductor / Fairchild
Transcondutância em avanço - Mín: 24.6 S
Tempo de queda: 105 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 375 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 100 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 95 ns
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | ON Semi |
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