Especificações
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD / SMT
Caixa / Gabinete: SO-8
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 30 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 15 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 6,5 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 3 W
Modo de canal: realce
Configuração: Single
Altura: 1,75 mm
Comprimento: 4,9 mm
Tipo de transistor: 1 canal N
Tipo: MOSFET de canal N
Largura: 3,9 mm
Marca: ON Semiconductor / Fairchild
Transcondutância em avanço - Mín: 58 S
Tempo de queda: 14 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 4 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 27 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 10 ns
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