Especificações
Fabricante: onsemi
Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: DPAK
Estilo de montagem: SMD / SMT
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 360 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1,59 V
Tensão do emissor do portão máximo: 30 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 50 A
Pd - Dissipação de potência: 125 W
Marca: onsemi / Fairchild
Corrente de dispersão do gate - emissor: 400 nA
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs
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