Especificações:
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-3PN
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 650 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1.9 V
Tensão do emissor do portão máximo: 20 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 120 A
Pd - Dissipação de potência: 600 W
Série: FGA60N65SMD
Embalagem: Vareta
Marca: ON Semiconductor / Fairchild
Corrente de dispersão do gate - emissor: 400 nA
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs
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