Especificações:
Fabricante: onsemi
Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Estilo de montagem: Através do furo
Configuração: Individual
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 650 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1,6 V
Tensão do emissor do portão máximo: - 20 V, + 20 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 150 A
Pd - Dissipação de potência: 455 W
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Série: FGH75T65SHD
Embalagem: Tubo
Marca: onsemi / Fairchild
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs
Analise do Número da peça: FGH75T65SHD_F155
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