Detalhes do Produto
Transistor FP10R06KE3
Módulo IGBT
Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de Produto: Módulos IGBT
Produtos: Módulos de Silício IGBT
Tensão do Coletor-Emissor VCEO Max: 1200 V
Tensão de classificação coletor-emissor: 2,45 V
Corrente Contínua do Coletor a 25 C: 15A
Corrente de fuga do emissor-portão: 400 nA
Pd - Dissipação de Potência: 20 mW
Temperatura Mínima de Operação: - 40ºC
Temperatura Máxima de Operação: + 125ºC
Embalagem: Bandeja
Marca: Tecnologias Infineon
Tensão Máxima do Emissor da Porta: 20 V
Estilo de montagem: Montagem do chassi
Tipo de Produto: Módulos IGBT
Subcategoria: IGBTs
Tecnologia: Si
Parte Analise: FP10R12KE3BOMA1
Para mais informações, entre em contato.
Módulo IGBT
Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de Produto: Módulos IGBT
Produtos: Módulos de Silício IGBT
Tensão do Coletor-Emissor VCEO Max: 1200 V
Tensão de classificação coletor-emissor: 2,45 V
Corrente Contínua do Coletor a 25 C: 15A
Corrente de fuga do emissor-portão: 400 nA
Pd - Dissipação de Potência: 20 mW
Temperatura Mínima de Operação: - 40ºC
Temperatura Máxima de Operação: + 125ºC
Embalagem: Bandeja
Marca: Tecnologias Infineon
Tensão Máxima do Emissor da Porta: 20 V
Estilo de montagem: Montagem do chassi
Tipo de Produto: Módulos IGBT
Subcategoria: IGBTs
Tecnologia: Si
Parte Analise: FP10R12KE3BOMA1
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Infineon |
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