Detalhes do Produto
Transistor FQA32N20C
Especificações
Fabricante: onsemi
Categoria do produto: MOSFET
REACH-SVHC:
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa/Gabinete: TO-3PN-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 200 V
Id - Corrente de condução contínua: 32 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 82 mOhms
Vgs - Tensão de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Tensão de limite porta e fonte: 2 V
Qg - Carga na porta: 110 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 204 W
Modo de canal: Aprimoramento
Nome comercial: QFET
Série: FQA32N20C
Embalagem: Tubo
Marca: onsemi/Fairchild
Configuração: Único
Tempo de queda: 210 ns
Transcondutância em avanço - Mínimo: 20 S
Altura: 20,1 mm
Comprimento: 16,2 mm
Tipo de produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 270 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 canal N
Tipo: MOSFET
Tempo de retardo de desligamento típico: 245 ns
Tempo típico de ativação/retardo: 25 ns
Para mais informações, entre em contato.
Especificações
Fabricante: onsemi
Categoria do produto: MOSFET
REACH-SVHC:
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa/Gabinete: TO-3PN-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 200 V
Id - Corrente de condução contínua: 32 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 82 mOhms
Vgs - Tensão de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Tensão de limite porta e fonte: 2 V
Qg - Carga na porta: 110 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 204 W
Modo de canal: Aprimoramento
Nome comercial: QFET
Série: FQA32N20C
Embalagem: Tubo
Marca: onsemi/Fairchild
Configuração: Único
Tempo de queda: 210 ns
Transcondutância em avanço - Mínimo: 20 S
Altura: 20,1 mm
Comprimento: 16,2 mm
Tipo de produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 270 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 canal N
Tipo: MOSFET
Tempo de retardo de desligamento típico: 245 ns
Tempo típico de ativação/retardo: 25 ns
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Especificações Técnicas
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