Detalhes do Produto
Transistor FQA38N30
Mosfet Canal N 300V
Especificações:
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-3PN-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 300 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 38.4 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 85 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 290 W
Modo de canal: Melhoria
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 20,1 mm
Comprimento: 16,2 mm
Série: FQA38N30
Tipo de transistor: 1 canal N
Tipo: MOSFET
Largura: 5 mm
Marca: ON Semiconductor / Fairchild
Transcondutância em avanço - Mín: 24 S
Tempo de queda: 190 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 430 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 170 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 80 ns
Analise do número de peça: FQA38N30
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