Especificações:
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: MOSFET
RoHS: N
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD / SMT
Caixa / Gabinete: TO-263-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 30 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 51 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 13,5 Ohms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 16 V, + 16 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 3,75 W
Modo de canal: Melhoria
Embalagem: Bobina
Configuração: Sozinho
Altura: 4,83 mm
Comprimento: 10,67 mm
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 9,65 mm
Marca: ON Semiconductor / Fairchild
Tempo de queda: 75 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 155 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 10 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 17 ns
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