Detalhes do Produto
Transistor FQP3N60C = P3N60
Mosfet Canal N 600V 3A 3,6 Ohms
Especificações:
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 600 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 3 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 3,4 Ohms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Qg - Carga na porta: 14 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 75 W
Modo de canal: Melhoria
Nome comercial: QFET
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 16,3 mm
Comprimento: 10,67 mm
Série: FQP3N60C
Tipo de transistor: 1 canal N
Tipo: MOSFET
Largura: 4,7 mm
Marca: ON Semiconductor / Fairchild
Transcondutância em avanço - Mín: 3,5 S
Tempo de queda: 35 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 30 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 35 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 12 ns
Para mais informações, entre em contato.
Mosfet Canal N 600V 3A 3,6 Ohms
Especificações:
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 600 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 3 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 3,4 Ohms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Qg - Carga na porta: 14 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 75 W
Modo de canal: Melhoria
Nome comercial: QFET
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 16,3 mm
Comprimento: 10,67 mm
Série: FQP3N60C
Tipo de transistor: 1 canal N
Tipo: MOSFET
Largura: 4,7 mm
Marca: ON Semiconductor / Fairchild
Transcondutância em avanço - Mín: 3,5 S
Tempo de queda: 35 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 30 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 35 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 12 ns
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Especificações Técnicas
| Marca | Sgs |
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