Detalhes do Produto
Transistor FQPF6N90C
Mosfet 900 Volts Canal N Q-FET
Especificações:
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 900 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 6 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 2,3 Ohms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Tensão de limite porta e fonte: 3 V
Qg - Carga na porta: 40 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 56 W
Modo de canal: realce
Nome comercial: QFET
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 16,07 mm
Comprimento: 10,36 mm
Série: FQPF6N90C
Tipo de transistor: 1 canal N
Tipo: MOSFET
Largura: 4,9 mm
Marca: ON Semiconductor / Fairchild
Transcondutância em avanço - Mín: 5,5 S
Tempo de queda: 60 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 90 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 55 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 35 ns
Aliases de núm de peça: FQPF6N90C
Para mais informações, entre em contato.
Mosfet 900 Volts Canal N Q-FET
Especificações:
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 900 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 6 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 2,3 Ohms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Tensão de limite porta e fonte: 3 V
Qg - Carga na porta: 40 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 56 W
Modo de canal: realce
Nome comercial: QFET
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 16,07 mm
Comprimento: 10,36 mm
Série: FQPF6N90C
Tipo de transistor: 1 canal N
Tipo: MOSFET
Largura: 4,9 mm
Marca: ON Semiconductor / Fairchild
Transcondutância em avanço - Mín: 5,5 S
Tempo de queda: 60 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 90 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 55 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 35 ns
Aliases de núm de peça: FQPF6N90C
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Fairchild |
|---|
Compartilhe: