Detalhes do Produto
Transistor FR5305 = IRFR5305TRPBF
Especificações
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD / SMT
Caixa / Gabinete: TO-252-3
Polaridade do transistor: Canal P
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 55 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 31 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 65 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 4 V
Qg - Carga na porta: 42 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 110 W
Modo de canal: realce
Configuração: Single
Altura: 2,3 mm
Comprimento: 6,5 mm
Tipo de transistor: 1 canal P
Tipo: HEXFET Power MOSFET
Largura: 6,22 mm
Marca: Infineon / IR
Transcondutância em avanço - Mín: 8 S
Tempo de queda: 63 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 66 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 39 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 14 ns
Aliases de núm de peça: IRFR5305TRPBF SP001557082
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