Detalhes do Produto
Transistor G25H1203 = IGW25N120H3
IGW25N120H3 TO-247-3
Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Estilo de montagem: Através do orifício
Configuração: Solteiro
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 1200 Volts
Tensão de saturação do coletor - emissor: 2.05 Volts
Tensão do emissor do gate máxima: 20 Volts
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 50 Amperes
Pd - Dissipação de potência: 326 Watts
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Embalagem: Régua
Marca: Infineon Technologies
Corrente de dispersão do gate - emissor: 600 nA
Tipo de Produto: Transistor IGBT
Quantidade do pacote de fábrica: 240 Peças
Subcategoria: IGBTs
Aliases de núm de peça: IGW25N120H3FKSA1 - IGW25N12H3XK - IGW25N120H3FKSA1
https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IGW25N120H3-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304325305e6d01258d0f50a8369e
Para mais informações, entre em contato.
IGW25N120H3 TO-247-3
Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Estilo de montagem: Através do orifício
Configuração: Solteiro
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 1200 Volts
Tensão de saturação do coletor - emissor: 2.05 Volts
Tensão do emissor do gate máxima: 20 Volts
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 50 Amperes
Pd - Dissipação de potência: 326 Watts
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Embalagem: Régua
Marca: Infineon Technologies
Corrente de dispersão do gate - emissor: 600 nA
Tipo de Produto: Transistor IGBT
Quantidade do pacote de fábrica: 240 Peças
Subcategoria: IGBTs
Aliases de núm de peça: IGW25N120H3FKSA1 - IGW25N12H3XK - IGW25N120H3FKSA1
https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IGW25N120H3-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304325305e6d01258d0f50a8369e
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Especificações Técnicas
| Marca | Infineon |
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