Detalhes do Produto
Transistor GP20B120UD-E = IRGP20B120UD-E
Transistor IGBT 1200V
Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: Transistor IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Configuração: Sozinho
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 1,2 kV
Tensão de saturação do coletor - emissor: 3.05 V
Tensão do emissor do portão máximo: 20 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 40 A
Pd - Dissipação de potência: 300 W
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Embalagem: Vareta
Ic máx. de corrente do coletor contínuo: 40 A
Altura: 24,3 mm
Comprimento: 15,7 mm
Largura: 5,1 mm
Marca: Infineon Technologies
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs
Para mais informações, entre em contato.
Transistor IGBT 1200V
Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: Transistor IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Configuração: Sozinho
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 1,2 kV
Tensão de saturação do coletor - emissor: 3.05 V
Tensão do emissor do portão máximo: 20 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 40 A
Pd - Dissipação de potência: 300 W
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Embalagem: Vareta
Ic máx. de corrente do coletor contínuo: 40 A
Altura: 24,3 mm
Comprimento: 15,7 mm
Largura: 5,1 mm
Marca: Infineon Technologies
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs
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Especificações Técnicas
| Marca | Infineon |
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