Detalhes do Produto
Transistor GT30J322
Especificações
Fabricante: Toshiba
Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-3P (N) IS-3
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 600 V
Tensão do emissor do portão máximo: 20 V
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: GT30J322
Ic máx. de corrente do coletor contínuo: 30 A
Altura: 21 mm
Comprimento: 15,8 mm
Largura: 5 mm
Marca: Toshiba
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs
Para mais informações entre em contato.
Especificações
Fabricante: Toshiba
Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-3P (N) IS-3
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 600 V
Tensão do emissor do portão máximo: 20 V
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: GT30J322
Ic máx. de corrente do coletor contínuo: 30 A
Altura: 21 mm
Comprimento: 15,8 mm
Largura: 5 mm
Marca: Toshiba
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs
Para mais informações entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Toshiba |
|---|
Compartilhe: