Detalhes do Produto
Transistor GT30J341 Toshiba
Especificações
Fabricante: Toshiba
Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-3PN-3
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 600 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1,5 V
Tensão do emissor do portão máximo: 25 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 59 A
Pd - Dissipação de potência: 230 W
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Série: GT30J341
Ic máx. de corrente do coletor contínuo: 120 A
Marca: Toshiba
Corrente de dispersão do gate - emissor: 100 nA
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs
Para mais informações, entre em contato.
Especificações
Fabricante: Toshiba
Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-3PN-3
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 600 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1,5 V
Tensão do emissor do portão máximo: 25 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 59 A
Pd - Dissipação de potência: 230 W
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Série: GT30J341
Ic máx. de corrente do coletor contínuo: 120 A
Marca: Toshiba
Corrente de dispersão do gate - emissor: 100 nA
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Toshiba |
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