Detalhes do Produto
Transistor GT50J102
Especificações
Fabricante: Toshiba
Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-3P (LH) -3
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 600 V
Tensão do emissor do portão máximo: 20 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: GT50J102
Ic máx. de corrente do coletor contínuo: 50 A
Altura: 26 mm
Comprimento: 20,5 mm
Largura: 5,2 mm
Marca: Toshiba
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs
Para mais informações, entre em contato.
Especificações
Fabricante: Toshiba
Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-3P (LH) -3
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 600 V
Tensão do emissor do portão máximo: 20 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: GT50J102
Ic máx. de corrente do coletor contínuo: 50 A
Altura: 26 mm
Comprimento: 20,5 mm
Largura: 5,2 mm
Marca: Toshiba
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Toshiba |
|---|
Compartilhe: