Detalhes do Produto
Transistor HGTG10N120BND = G10N120BND
Transistor IGBT 35A 1200V Canal N
Especificações:
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Configuração: Sozinho
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 1200 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 2,45 V
Tensão do emissor do portão máximo: 20 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 17 A
Pd - Dissipação de potência: 298 W
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: HGTG10N120BND
Embalagem: Vareta
Ic máx. de corrente do coletor contínuo: 35 A
Altura: 20,82 mm
Comprimento: 15,87 mm
Largura: 4,82 mm
Marca: ON Semiconductor / Fairchild
Tensão do coletor contínua: 35 A
Corrente de dispersão do gate - emissor: +/- 250 nA
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs
Analise do número da peça: HGTG10N120BND
Para mais informações, entre em contato.
Transistor IGBT 35A 1200V Canal N
Especificações:
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Configuração: Sozinho
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 1200 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 2,45 V
Tensão do emissor do portão máximo: 20 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 17 A
Pd - Dissipação de potência: 298 W
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: HGTG10N120BND
Embalagem: Vareta
Ic máx. de corrente do coletor contínuo: 35 A
Altura: 20,82 mm
Comprimento: 15,87 mm
Largura: 4,82 mm
Marca: ON Semiconductor / Fairchild
Tensão do coletor contínua: 35 A
Corrente de dispersão do gate - emissor: +/- 250 nA
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs
Analise do número da peça: HGTG10N120BND
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Fairchild |
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