Detalhes do Produto
Transistor HGTG5N120BND = 5N120BND
Transistor IGBT 21 Amperes 1200 Volts NPT Serie Canal N
Especificações:
Fabricante: onsemi
Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Configuração: Sozinho
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 1200 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 2,45 V
Tensão do emissor do portão máximo: 20 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 21 A
Pd - Dissipação de potência: 167 W
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: HGTG5N120BND
Embalagem: Vareta
Marca: onsemi / Fairchild
Tensão do coletor contínua: 21 A
Ic máx. de corrente do coletor contínuo: 21 A
Corrente de dispersão do gate - emissor: +/- 250 nA
Altura: 20,82 mm
Comprimento: 15,87 mm
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs
Largura: 4,82 mm
Aliases de núm de peça: HGTG5N120BND
Para mais informações, entre em contato.
Transistor IGBT 21 Amperes 1200 Volts NPT Serie Canal N
Especificações:
Fabricante: onsemi
Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Configuração: Sozinho
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 1200 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 2,45 V
Tensão do emissor do portão máximo: 20 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 21 A
Pd - Dissipação de potência: 167 W
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: HGTG5N120BND
Embalagem: Vareta
Marca: onsemi / Fairchild
Tensão do coletor contínua: 21 A
Ic máx. de corrente do coletor contínuo: 21 A
Corrente de dispersão do gate - emissor: +/- 250 nA
Altura: 20,82 mm
Comprimento: 15,87 mm
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs
Largura: 4,82 mm
Aliases de núm de peça: HGTG5N120BND
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | ON Semi |
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