Detalhes do Produto
Transistor HY4008
Designador de tipo: HY4008A
Tipo de transistor: MOSFET
Tipo de Canal de Controle: N -Canal
Dissipação de Potência Máxima (Pd): 397 W
Tensão máxima da fonte de drenagem |Vds|: 80 V
Tensão máxima da fonte do portão |Vgs|: 25 V
Tensão Máxima de Limite de Porta |Vgs(th)|: 4 V
Corrente máxima de drenagem |Id|: 200 A
Temperatura máxima de junção (Tj): 175 °C
Carga Total do Portão (Qg): 195 nC
Tempo de subida (tr): 18 nS
Capacitância da fonte de drenagem (Cd): 1029 pF
Resistência máxima no estado da fonte de drenagem (Rds): 0,0035 Ohm
Pacote: TO3P
Para mais informaçoes, entre em contato.
Designador de tipo: HY4008A
Tipo de transistor: MOSFET
Tipo de Canal de Controle: N -Canal
Dissipação de Potência Máxima (Pd): 397 W
Tensão máxima da fonte de drenagem |Vds|: 80 V
Tensão máxima da fonte do portão |Vgs|: 25 V
Tensão Máxima de Limite de Porta |Vgs(th)|: 4 V
Corrente máxima de drenagem |Id|: 200 A
Temperatura máxima de junção (Tj): 175 °C
Carga Total do Portão (Qg): 195 nC
Tempo de subida (tr): 18 nS
Capacitância da fonte de drenagem (Cd): 1029 pF
Resistência máxima no estado da fonte de drenagem (Rds): 0,0035 Ohm
Pacote: TO3P
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Especificações Técnicas
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