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Detalhes do Produto
Transistor IKW40N120H3 = K40H1203
Transistor IGBT 1200 Volts
Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Configuração: Sozinho
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 1200 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 2.05 V
Tensão do emissor do portão máximo: 20 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 80 A
Pd - Dissipação de potência: 483 W
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Série: HighSpeed 3
Embalagem: Vareta
Ic máx. de corrente do coletor contínuo: 80 A
Marca: Infineon Technologies
Corrente de dispersão do gate - emissor: 600 nA
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs
Nome comercial: TRENCHSTOP
Aliases de núm de peça: IKW4N12H3XK - IKW40N120H3FKSA1
Para mais informações, entre em contato.
Transistor IGBT 1200 Volts
Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Configuração: Sozinho
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 1200 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 2.05 V
Tensão do emissor do portão máximo: 20 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 80 A
Pd - Dissipação de potência: 483 W
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Série: HighSpeed 3
Embalagem: Vareta
Ic máx. de corrente do coletor contínuo: 80 A
Marca: Infineon Technologies
Corrente de dispersão do gate - emissor: 600 nA
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs
Nome comercial: TRENCHSTOP
Aliases de núm de peça: IKW4N12H3XK - IKW40N120H3FKSA1
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Infineon |
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