Detalhes do Produto
Transistor IPB039N10N3 = 039N10N Smd Infineon
Fabricante: Infineon
Categoria do produto: MOSFETs
REACH-SVHC:
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa/Gabinete: TO-263-7
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 100 V
Id - Corrente de condução contínua: 160 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 3,9 mOhms
Vgs - Tensão de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 2 V
Qg - Carga na porta: 88 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 214 W
Modo de canal: Aprimoramento
Nome comercial: OptiMOS
Série: OptiMOS 3
Marca: Infineon Technologies
Configuração: Único
Tempo de queda: 14 ns
Transcondutância em avanço - Mínimo: 76 S
Altura: 4,4 mm
Comprimento: 10 mm
Tipo de Produto: MOSFETs
Tempo de ascensão: 59 ns
Subcategoria: Transistores
Tipo de transistor: 1 canal N
Tipo: Transistor de potência OptiMOS 3
Para mais informações, entre em contato.
Fabricante: Infineon
Categoria do produto: MOSFETs
REACH-SVHC:
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa/Gabinete: TO-263-7
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 100 V
Id - Corrente de condução contínua: 160 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 3,9 mOhms
Vgs - Tensão de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 2 V
Qg - Carga na porta: 88 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 214 W
Modo de canal: Aprimoramento
Nome comercial: OptiMOS
Série: OptiMOS 3
Marca: Infineon Technologies
Configuração: Único
Tempo de queda: 14 ns
Transcondutância em avanço - Mínimo: 76 S
Altura: 4,4 mm
Comprimento: 10 mm
Tipo de Produto: MOSFETs
Tempo de ascensão: 59 ns
Subcategoria: Transistores
Tipo de transistor: 1 canal N
Tipo: Transistor de potência OptiMOS 3
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Infineon |
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