Detalhes do Produto
Transistor IRF130 IR
Especificações
Fabricante: Infineon
Categoria do produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Caixa/Gabinete: TO-204AA-2
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 Canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 100 V
Id - Corrente de condução contínua: 14 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 210 mOhms
Vgs - Tensão de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 75 W
Modo de canal: Aprimoramento
Marca: Infineon/IR
Configuração: Único
Tempo de queda: 45 ns
Altura: 7,74 mm
Comprimento: 39,37 mm
Tipo de produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 80 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 canal N
Tempo de retardo de desligamento típico: 60 ns
Tempo típico de ativação/retardo: 35 ns
Largura: 25,53 mm
Para mais informações, entre em contato.
Especificações
Fabricante: Infineon
Categoria do produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Caixa/Gabinete: TO-204AA-2
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 Canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 100 V
Id - Corrente de condução contínua: 14 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 210 mOhms
Vgs - Tensão de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 75 W
Modo de canal: Aprimoramento
Marca: Infineon/IR
Configuração: Único
Tempo de queda: 45 ns
Altura: 7,74 mm
Comprimento: 39,37 mm
Tipo de produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 80 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 canal N
Tempo de retardo de desligamento típico: 60 ns
Tempo típico de ativação/retardo: 35 ns
Largura: 25,53 mm
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Especificações Técnicas
| Marca | Infineon |
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