Detalhes do Produto
Transistor IRF150 TO-3
Especificações
Fabricante: TT Electronics
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 100 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 38 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 55 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 4 V
Qg - Carga na porta: 125 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 150 W
Modo de canal: realce
Configuração: Single
Série: IRF
Tipo de transistor: 1 canal N
Marca: Semelab / TT Electronics
Tipo de Produto: MOSFET
Subcategoria: MOSFETs
Para mais informações entre em contato.
Especificações
Fabricante: TT Electronics
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 100 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 38 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 55 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 4 V
Qg - Carga na porta: 125 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 150 W
Modo de canal: realce
Configuração: Single
Série: IRF
Tipo de transistor: 1 canal N
Marca: Semelab / TT Electronics
Tipo de Produto: MOSFET
Subcategoria: MOSFETs
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Especificações Técnicas
| Marca | Infineon |
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