Detalhes do Produto
Transistor IRF6218PBF
Especificações
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal P
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 150 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 27 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 150 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 5 V
Qg - Carga na porta: 21 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 250 W
Modo de canal: realce
Configuração: Single
Altura: 15,65 mm
Comprimento: 10 mm
Tipo de transistor: 1 canal P
Tipo: Smps MOSFET
Largura: 4,4 mm
Marca: Infineon / IR
Tempo de queda: 30 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 70 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 35 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 21 ns
Para mais informações, entre em contato.
Especificações
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal P
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 150 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 27 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 150 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 5 V
Qg - Carga na porta: 21 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 250 W
Modo de canal: realce
Configuração: Single
Altura: 15,65 mm
Comprimento: 10 mm
Tipo de transistor: 1 canal P
Tipo: Smps MOSFET
Largura: 4,4 mm
Marca: Infineon / IR
Tempo de queda: 30 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 70 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 35 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 21 ns
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Infineon |
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