Especificações:
Fabricante: Infineon / IR
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Através de Orificio
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: Canal 1
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 200 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 9.3 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 300 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 2 V
Qg - Carga na porta: 23.3 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 82 W
Modo de canal: Aprimoramento
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 15.65 mm
Comprimento: 10 mm
Tipo de transistor: 1 Canal N
Largura: 4.4 mm
Marca: Infineon / IR
Transcondutância em avanço - Mín: 4.9 S
Tempo de queda: 15 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 14 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 27 ns
Tempo típico de ativação/retardo : 7.9 ns
Aliases de núm de peça: IRF630NPBF
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