Detalhes do Produto
Transistor IRF640N
IRF640NPBF Mosfet 200 Volts 18 Amperes 150mOhm 44,7nC
Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 200 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 18 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 150 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 2 V
Qg - Carga na porta: 44,7 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 150 W
Modo de canal: realce
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 15,65 mm
Comprimento: 10 mm
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 4,4 mm
Marca: Infineon / IR
Transcondutância em avanço - Mín: 6.8 S
Tempo de queda: 5,5 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 19 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 23 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 10 ns
Aliases de núm de peça: IRF640NPBF
Para mais informações, entre em contato.
IRF640NPBF Mosfet 200 Volts 18 Amperes 150mOhm 44,7nC
Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 200 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 18 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 150 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 2 V
Qg - Carga na porta: 44,7 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 150 W
Modo de canal: realce
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 15,65 mm
Comprimento: 10 mm
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 4,4 mm
Marca: Infineon / IR
Transcondutância em avanço - Mín: 6.8 S
Tempo de queda: 5,5 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 19 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 23 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 10 ns
Aliases de núm de peça: IRF640NPBF
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Infineon |
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