Especificações
Fabricante: Infineon
Categoria do produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa / Gabinete: DirectFET-MN
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 100 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 10,3 A
Rds On - Fonte de drenagem e resistência: 10,3 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 4,8 V
Qg - Carga na porta: 35 nC
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 89 W
Modo de canal: Aprimoramento
Nome comercial: DirectFET
Marca: Infineon/IR
Configuração: Solteiro
Tempo de queda: 16 ns
Transcondutância em avanço - Mín: 15 S
Altura: 0,7 mm
Comprimento: 6,35 mm
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 26 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tempo de retardo de desligamento típico: 34 ns
Tempo típico de 17 ns
Largura: 5,05 mm
Aliases de número de peça: IRF6644TRPBF SP001563476
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