Transistor IRF710

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Detalhes do Produto Transistor IRF710
IRF710PBF

Mosfet Canal N 400V

Especificações:
Fabricante: Vishay
Categoria de Produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Através do orifício
Embalagem / Caixa: TO-220AB-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura da fonte de drenagem: 400 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 2 A
Rds On - Resistência da Fonte de Drenagem: 3,6 Ohms
Vgs - Tensão da fonte de porta: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensão de limiar de fonte de porta: 2 V
Qg - Taxa de Portão: 17 nC
Temperatura mínima de operação: - 55 C
Temperatura máxima da operação: + 150 C
Pd - Dissipação de energia: 36 W
Modo de canal: Aprimoramento
Embalagem: Vareta
Configuração: solteiro
Série: IRF
Tipo de transistor: 1 canal N
Marca: Vishay Semiconductors
Transcondutância direta - Min: 1 S
Tempo de outono: 11 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de subida: 9,9 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de atraso típico para desligar: 21 ns
Tempo de atraso típico para ligar: 8 ns

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